由非晶硅 (a-Si) 制成的光电二极管
TFT 读出阵列
X 射线光子遇到碘化铯 (CsI) 闪烁体并转换为可见光。针状 CsI 结构在此步骤中起到最小化散射的作用。然后,光到达低噪声非晶硅 (a-Si) 光电二极管阵列,在那里被转换成电荷。每个光电二极管代表一个像素,每个光电二极管都会产生一个电荷,该电荷由下面的 TFT 阵列层以数字方式读出,然后最终发送到图像处理器 。
可以使用电荷耦合器件 (CCD) 或互补金属氧化物半导体 (CMOS) 探测器实现将闪烁体与可见光探测器耦合的类似过程。
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