1、结构上不同。非晶硅平板探测器的结构主要是由闪烁体和感光体(具有光电二 管作用的非晶硅层)集成在 起再加TFT阵列构成;非晶硒平板探测器的结构主要是由非晶硒层加TFT阵列构成。
2、A/D转换原理不同。非晶硅的原理是闪烁体经X射线曝光之后，将X射线的光子转换为可见光，然后非晶硅层通过光电二 管的作用将可见光转化为电信号，通过TFT检测阵列，再经A/D转换终获得数字化图像；非晶硒的工作原理是非晶硒层经X射线曝光后直接产生电信号，通过TFT检测阵列，再经过A/D转换之后获得数字化图像。
3、荧光材料层和探测元阵列层的不同。通常来说非晶硒平板的图像清晰度 于非晶硅平板，锐利度更好。
4、非晶硒平板探测器在使用过程中对工作环境要求非常高，使用寿命相较于非晶硅平板更短，而且故障率更高，维护成本也大于非晶硅平板探测器，所以现在市场上还是以非晶硅平板探测器为主。
以上就是非晶硅和非晶硒平板探测器的区别，通过对比来看，两者存在区别，需要按需选择。
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